Les JFETs - Distributeur de composants électroniques - Page 7

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
OP249GSZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1221	RFQ	Tube	Active	Détails
ADA4622-2ARMZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8MSOP	2690	RFQ	Tube	Active	Détails
AD795JRZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	2000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
AD8643ARZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	1000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
LT1462CS8#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO	3753	RFQ	Tube	Active	Détails
AD712KRZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6321	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
AD648JRZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	2085	RFQ	Tube	Active	Détails
AD8626ARMZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8MSOP	4196	RFQ	Tube	Active	Détails
AD8626ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	2290	RFQ	Tube	Active	Détails
AD823ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	5647	RFQ	Tube	Active	Détails
AD712JNZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	5342	RFQ	Tube	Active	Détails
AD820ANZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	5863	RFQ	Tube	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.